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NCE2301C	文件：465.18 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters 文件：465.18 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE2301C	文件：328.84 Kbytes Page：7 Pages	NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：328.84 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE2301C	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-150V P-Channel Trench MOSFET \n The NCE2301C uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. \n• V DS = -15V,I D = -2.6A\nR DS(ON) < 120m? @ V GS =-2.5V\nR DS(ON) < 80m? @ V GS =-4.5V\n• High power and current handing capability\n• Lead free product is acquired\n• Surface mount package;	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE2301D	文件：287.58 Kbytes Page：7 Pages	NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：287.58 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE2301D	文件：465.42 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters 文件：465.42 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE2301E	文件：336.71 Kbytes Page：7 Pages	NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：336.71 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER

技术参数

Product status：
Production
Package：
SOT-23
Polarity：
P
BVDSS(V)：
-15
ID(A)：
-2.6
VTH(V)：
-0.7
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
56
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
75
RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)：
72
RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)：
100
VGS(th)(V)：
±12
CISS(pF)：
325
QG(nC)：
3.2
PD(W)：
0.9

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