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NCD57001FDWR2G	文件：227 Kbytes Page：12 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver NCD57001FisavariantofNCD57001withreduced Soft−Turn−OfftimesuitedtodrivelargeIGBTsorpowermodules. NCD57001Fisahigh−currentsinglechannelIGBTdriverwith internalgalvanicisolation,designedforhighsystemefficiencyand reliabilityinhighpowerapplications.Itsfeatures	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NCD57001FDWR2G
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
系列：
Automotive, AEC-Q100
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
半桥
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT
电压 - 供电：
24V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
7.8A，7.1A
输入类型：
反相，非反相
上升/下降时间（典型值）：
10ns，15ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
ISOLATED HIGH CURRENT AND HIGH E

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