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NCD57001FDWR2G	文件：227 Kbytes Page：12 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver NCD57001F is a variant of NCD57001 with reduced Soft−Turn−Off time suited to drive large IGBTs or power modules. NCD57001F is a high−current single channel IGBT driver with internal galvanic isolation, designed for high system efficiency and reliability in high power applications. Its features 文件：227 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD57001FDWR2G	文件：286.34 Kbytes Page：11 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver 文件：286.34 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD57001FDWR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：ISOLATED HIGH CURRENT AND HIGH E	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NCV57001FDWR2G	文件：547.93 Kbytes Page：19 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver NCV57001F is a variant of NCV57001 with reduced Soft−Turn−Off time suited to drive large IGBTs or power modules. NCV57001F is a high−current single channel IGBT driver with internal galvanic isolation, designed for high system efficiency and reliability in high power applications. Its features 文件：547.93 Kbytes 页数：19 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NCD57001FDWR2G
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
系列：
Automotive, AEC-Q100
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
半桥
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT
电压 - 供电：
24V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
7.8A，7.1A
输入类型：
反相，非反相
上升/下降时间（典型值）：
10ns，15ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
ISOLATED HIGH CURRENT AND HIGH E

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