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NCD5702DR2G	文件：424.14 Kbytes Page：18 Pages	High Current IGBT Gate Driver 文件：424.14 Kbytes 页数：18 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD5702DR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV5702DR2G	文件：677.08 Kbytes Page：18 Pages	High Current IGBT Gate Driver 文件：677.08 Kbytes 页数：18 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD57090ADWR2G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	ON 上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司	ON
NCE0102	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	NCE/新洁能上传：深圳市浩翊科技有限公司	NCE/新洁能

产品属性

产品编号：
NCD5702DR2G
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT
电压 - 供电：
5.5V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.75V，4.3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
7.8A，6.8A
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
9.2ns，7.9ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

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更多NCD5702DR2G供应商更新时间2026-1-22 13:34:00

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