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NCV5702DR2G	文件：677.08 Kbytes Page：18 Pages	High Current IGBT Gate Driver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCV5702DR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCD5702DR2G	文件：424.14 Kbytes Page：18 Pages	HighCurrentIGBTGateDriver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NCV5702DR2G
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
系列：
Automotive, AEC-Q100
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
IGBT
电压 - 供电：
20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.75V，4.3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1A，1A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
9.2ns，7.9ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

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