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NCV5707BDR2G	文件：441.26 Kbytes Page：21 Pages	High Current IGBT/MOSFET Gate Drivers IGBTdriversforhighpowerapplicationsthatincludesolarinverters, motorcontrolanduninterruptiblepowersupplies.Thedevicesoffera cost−effectivesolutionbyeliminatingexternaloutputbuffer.Devices protectionfeaturesincludeaccurateUnder−voltage−lockout(UVLO), desaturationpr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCV5707BDR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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High Current IGBT/MOSFET Gate Drivers

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ONSEMION Semiconductor

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Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE

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HighCurrentIGBT/MOSFETGateDrivers

ONSEMION Semiconductor

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产品属性

产品编号：
NCV5707BDR2G
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
高压侧和低压侧
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
7V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.75V，4.3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
7.8A，6.8A
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
9.2ns，7.9ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市五行云科技有限公司	NCV5707BDR2G	onsemi	25+	原厂封装	11000		询价
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