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NCV5707BDR2G

包装:管件 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    NCV5707BDR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    高压侧和低压侧

  • 通道类型:

    单路

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    7V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.75V,4.3V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    7.8A,6.8A

  • 输入类型:

    反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    9.2ns,7.9ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON SEMICONDUCTOR
23+
NA
50
门极驱动器
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onsemi
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