NCV5707BDR2G 集成电路（IC）栅极驱动器 ONSEMI/安森美半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	面议

厂家型号：
NCV5707BDR2G
产品分类：
芯片
生产厂商：
onsemi
库存数量：
10000
产品封装：
原厂封装
生产批号：
25+
库存类型：
优势库存
更新时间：
2025-7-29 13:34:00

数据手册更多货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：NCV5707BDR2G品牌：onsemi

NCV5707BDR2G是集成电路（IC） > 栅极驱动器。制造商onsemi生产封装原厂封装/8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）的NCV5707BDR2G栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。

芯片型号：
NCV5707BDR2G
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
21 页
文件大小：
441.26 kb
资料说明：
High Current IGBT/MOSFET Gate Drivers

产品属性

类型
描述
产品编号：
NCV5707BDR2G
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
高压侧和低压侧
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
7V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.75V，4.3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
7.8A，6.8A
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
9.2ns，7.9ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE

供应商

企业：
上海闻业电子科技有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
杨先生
手机：
13917919240
询价：
电话：
13917919240
地址：
上海市金山区山阳镇浦卫公路16393号3幢C151号

NCV5707BDR2G 集成电路（IC）栅极驱动器 ONSEMI/安森美半导体

NCV5707BDR2G

产品属性

供应商

相关型号

相近型号