NCV5707BDR2G_集成电路（IC）栅极驱动器-安森美半导体

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2500+	¥6.28972

厂家型号：
NCV5707BDR2G
制造商：
ONSEMI/安森美半导体
库存数量：
0
类别：
集成电路（IC）栅极驱动器
封装外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
包装：
管件
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-10-4 10:08:00

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原厂料号：NCV5707BDR2G品牌：onsemi

资料说明：ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE

NCV5707BDR2G是集成电路（IC） > 栅极驱动器。制造商ONSEMI/安森美半导体生产封装8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）的NCV5707BDR2G栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。

芯片型号：
NCV5707BDR2G
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
资料说明：
ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE

产品属性

类型
描述
产品编号：
NCV5707BDR2G
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
高压侧和低压侧
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
7V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.75V，4.3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
7.8A，6.8A
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
9.2ns，7.9ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE

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NCV5707BDR2G

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