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NCV57200DR2G	文件：432.96 Kbytes Page：11 Pages	Half Bridge Gate Driver(Isolated High & Non- Isolated Low) The NCV57200 is a high voltage gate driver with one non- isolated low side gate driver and one galvanic isolated high or low side gate driver. It can directly drive two IGBTs in a half bridge configuration. Isolated high side driver can be powered with an isolated power supply or with Bootstra 文件：432.96 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NCD57200DR2G	文件：1.58817 Mbytes Page：18 Pages	Half Bridge Gate Driver (Isolated High & Non- Isolated Low) The NCD57200 is a high voltage gate driver with one non- isolated low side gate driver and one galvanically isolated high or low side gate driver. It can directly drive two IGBTs in a half bridge configuration. Isolated high side driver can be powered with an isolated power supply or with Boot 文件：1.58817 Mbytes 页数：18 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD57200DR2G	文件：735.59 Kbytes Page：18 Pages	Half Bridge Gate Driver (Isolated High & Non-Isolated Low) 文件：735.59 Kbytes 页数：18 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NCV57200DR2G
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
系列：
Automotive, AEC-Q100
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
IGBT
电压 - 供电：
20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.9V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.9A，2.3A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
13ns，8ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE

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