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NCV57200DR2G	文件：432.96 Kbytes Page：11 Pages	Half Bridge Gate Driver(Isolated High & Non- Isolated Low) The NCV57200 is a high voltage gate driver with one non- isolated low side gate driver and one galvanic isolated high or low side gate driver. It can directly drive two IGBTs in a half bridge configuration. Isolated high side driver can be powered with an isolated power supply or with Bootstra 文件：432.96 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NCD57200DR2G	文件：1.58817 Mbytes Page：18 Pages	Half Bridge Gate Driver (Isolated High & Non- Isolated Low) The NCD57200 is a high voltage gate driver with one non- isolated low side gate driver and one galvanically isolated high or low side gate driver. It can directly drive two IGBTs in a half bridge configuration. Isolated high side driver can be powered with an isolated power supply or with Boot 文件：1.58817 Mbytes 页数：18 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NCV57200DR2G
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
系列：
Automotive, AEC-Q100
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
IGBT
电压 - 供电：
20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.9V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.9A，2.3A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
13ns，8ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE

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