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NCD5701CDR2G

High Current IGBT Gate Drivers

文件:465.33 Kbytes 页数:20 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCD5701CDR2G

High Current IGBT Gate Drivers

文件:342.23 Kbytes 页数:20 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCD5701CDR2G

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

ONSEMI

安森美半导体

NCV5701CDR2G

High Current IGBT Gate Drivers

The NCV5701A, NCV5701B and NCV5701C are high−current, high−performance stand−alone IGBT drivers for high power applications that include solar inverters, motor control and uninterruptible power supplies. The devices offer a cost−effective solution by eliminating external output buffer. Devices

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ONSEMI

安森美半导体

NCV5701CDR2G

High Current IGBT Gate Drivers

文件:336.11 Kbytes 页数:20 Pages

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NCD5701CDR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    高压侧或低压侧

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    IGBT

  • 电压 - 供电:

    20V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    7.8A,6.8A

  • 上升/下降时间(典型值):

    18ns,19ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

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onsemi
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更多NCD5701CDR2G供应商 更新时间2025-10-5 13:34:00