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NCD57001DWR2G	文件：230.22 Kbytes Page：14 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCD57001F	文件：286.34 Kbytes Page：11 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCD57001FDWR2G	文件：286.34 Kbytes Page：11 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCD5700DR2G	文件：333.58 Kbytes Page：18 Pages	High Current IGBT Gate Driver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCD5700DR2G	文件：456.62 Kbytes Page：18 Pages	High Current IGBT Gate Driver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCD57001DWR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCD57001FDWR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：ISOLATED HIGH CURRENT AND HIGH E	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCD5700DR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Power Switch：
IGBT
Number of Outputs：
1
Topology：
Single
Isolation Type：
Non-Isolated
Vin Max (V)：
5.5
VCC Max (V)：
35
Drive Source/Sink Typ (mA)：
5000/5000
Rise Time (ns)：
30
Fall Time (ns)：
30
tp Max (ns)：
70
Package Type：
SOIC-16

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