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NCD57001F	文件：286.34 Kbytes Page：11 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver 文件：286.34 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD57001FDWR2G	文件：286.34 Kbytes Page：11 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver 文件：286.34 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD5700DR2G	文件：333.58 Kbytes Page：18 Pages	High Current IGBT Gate Driver 文件：333.58 Kbytes 页数：18 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD5700DR2G	文件：456.62 Kbytes Page：18 Pages	High Current IGBT Gate Driver 文件：456.62 Kbytes 页数：18 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD57000DWR2G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Isolated high current and high efficiency IGBT gate driver with internal galvanic isolation. NCD57000 is a high−current single channel IGBT driver with internal\ngalvanic isolation, designed for high system efficiency and reliability\nin high power applications. Its features include complementary inputs,\nopen drain FAULT and Ready outputs, active Miller clamp, accurate\nUVLOs, DESAT protec • High Current Output(+4/-6 A) at IGBT Miller Plateau Voltages\n• Improves system efficiency\n• Short Propagation Delays with Accurate Matching\n• Improves PWM signal integrity\n• DESAT with Soft Turn Off\n• Protection against overload and short circuits\n• Active Miller Clamp and Negative Gate Volt;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD57001DWR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD57001FDWR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：ISOLATED HIGH CURRENT AND HIGH E	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD5700DR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Power Switch：
IGBT
Number of Outputs：
1
Topology：
Single
Isolation Type：
Non-Isolated
Vin Max (V)：
5.5
VCC Max (V)：
35
Drive Source/Sink Typ (mA)：
5000/5000
Rise Time (ns)：
30
Fall Time (ns)：
30
tp Max (ns)：
70
Package Type：
SOIC-16

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