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NCD57001F	文件：227 Kbytes Page：12 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver NCD57001F is a variant of NCD57001 with reduced Soft−Turn−Off time suited to drive large IGBTs or power modules. NCD57001F is a high−current single channel IGBT driver with internal galvanic isolation, designed for high system efficiency and reliability in high power applications. Its features 文件：227 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD57001F_V01	文件：227 Kbytes Page：12 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver NCD57001F is a variant of NCD57001 with reduced Soft−Turn−Off time suited to drive large IGBTs or power modules. NCD57001F is a high−current single channel IGBT driver with internal galvanic isolation, designed for high system efficiency and reliability in high power applications. Its features 文件：227 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD57001FDWR2G	文件：227 Kbytes Page：12 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver NCD57001F is a variant of NCD57001 with reduced Soft−Turn−Off time suited to drive large IGBTs or power modules. NCD57001F is a high−current single channel IGBT driver with internal galvanic isolation, designed for high system efficiency and reliability in high power applications. Its features 文件：227 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD5700_17	文件：333.58 Kbytes Page：18 Pages	High Current IGBT Gate Driver 文件：333.58 Kbytes 页数：18 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD57000	文件：230.86 Kbytes Page：14 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver 文件：230.86 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD57000D	文件：230.86 Kbytes Page：14 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver 文件：230.86 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NCD57001	文件：230.22 Kbytes Page：14 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver 文件：230.22 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCD57001D	文件：230.22 Kbytes Page：14 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver 文件：230.22 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Power Switch：
IGBT
Number of Outputs：
1
Topology：
Single
Isolation Type：
Non-Isolated
Vin Max (V)：
5.5
VCC Max (V)：
35
Drive Source/Sink Typ (mA)：
5000/5000
Rise Time (ns)：
30
Fall Time (ns)：
30
tp Max (ns)：
70
Package Type：
SOIC-16

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