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NAND512W3A2BN6	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARY DESCRIPTION The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The devices range from 128Mbits to 1Gbit and operate with either a 1.8V or 3V voltage supp 文件：916.59 Kbytes 页数：57 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND512W3A2BN6E	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARY DESCRIPTION The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The devices range from 128Mbits to 1Gbit and operate with either a 1.8V or 3V voltage supp 文件：916.59 Kbytes 页数：57 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND512W3A2BN6F	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARY DESCRIPTION The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The devices range from 128Mbits to 1Gbit and operate with either a 1.8V or 3V voltage supp 文件：916.59 Kbytes 页数：57 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND512W3A2BN6T	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARY DESCRIPTION The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The devices range from 128Mbits to 1Gbit and operate with either a 1.8V or 3V voltage supp 文件：916.59 Kbytes 页数：57 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND512W3A2BN6E	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP	ST 意法半导体	ST
NAND512W3A2BN6F	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP	ST 意法半导体	ST
NAND512W3A2BN6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND512W3A2BN6F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NAND
存储容量：
512Mb （64M x 8）
写周期时间 - 字，页：
50ns
访问时间：
50ns
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
2.7 V ~ 3.6 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724\，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
48-TSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	NAND512W3A2BN6	ST/意法	25+	TSSOP-48	32360	ST/意法全新特价NAND512W3A2BN6即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多NAND512W3A2BN6供应商更新时间2025-10-5 9:04:00

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