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NAND512W3A2BN6E中文资料IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP数据手册ST规格书

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厂商型号

NAND512W3A2BN6E

参数属性

NAND512W3A2BN6E 封装/外壳为48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽);包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP

功能描述

IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP

封装外壳

48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-24 12:00:00

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NAND512W3A2BN6E规格书详情

简介

NAND512W3A2BN6E属于集成电路(IC)的存储器。由制造生产的NAND512W3A2BN6E存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NAND512W3A2BN6E

  • 生产厂家

    :ST

  • 存储器格式

    :闪存

  • 技术

    :FLASH - NAND

  • 存储容量

    :512Mb (64M x 8)

  • 写周期时间 - 字,页

    :50ns

  • 访问时间

    :50ns

  • 存储器接口

    :并联

  • 电压 - 电源

    :2.7 V ~ 3.6 V

  • 工作温度

    :-40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :48-TFSOP(0.724\,18.40mm 宽)

  • 供应商器件封装

    :48-TSOP

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