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NAND512R3A2DZA6E数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

NAND512R3A2DZA6E

参数属性

NAND512R3A2DZA6E 封装/外壳为63-TFBGA;包装为管件;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

功能描述

IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA

封装外壳

63-TFBGA

制造商

Micron Micron Technology

中文名称

镁光 美国镁光科技有限公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 9:06:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :NAND512R3A2DZA6E

  • 生产厂家

    :Micron

  • 存储器格式

    :闪存

  • 技术

    :FLASH - NAND

  • 存储容量

    :512Mb (64M x 8)

  • 写周期时间 - 字,页

    :50ns

  • 访问时间

    :50ns

  • 存储器接口

    :并联

  • 电压 - 电源

    :1.7V ~ 1.95V

  • 工作温度

    :-40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :63-TFBGA

  • 供应商器件封装

    :63-VFBGA(9x11)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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60000
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