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NAND512R3A2DZA6E	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA	Micron 美光	Micron
NAND512R3A2DZA6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：63-TFBGA；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA	ELPIDA 尔必达	ELPIDA
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产品属性

产品编号：
NAND512R3A2DZA6E
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存 - NAND
存储容量：
512Mb（64M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
50ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
63-TFBGA
供应商器件封装：
63-VFBGA（9x11）
描述：
IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

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