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NAND08GW3C2B中文资料8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory数据手册Micron规格书

厂商型号 |
NAND08GW3C2B |
参数属性 | NAND08GW3C2B 封装/外壳为48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽);包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP |
功能描述 | 8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory |
封装外壳 | 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |
制造商 | Micron Micron Technology |
中文名称 | 美光 美光科技有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-24 12:00:00 |
人工找货 | NAND08GW3C2B价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
技术参数
- 产品编号:
NAND08GW3C2BN6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
闪存 - NAND
- 存储容量:
8Gb(1G x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
25ns
- 电压 - 供电:
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
- 供应商器件封装:
48-TSOP
- 描述:
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2511 |
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