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NAND04GW3B2DN6E中文资料IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP数据手册Micron规格书

厂商型号 |
NAND04GW3B2DN6E |
参数属性 | NAND04GW3B2DN6E 封装/外壳为48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP |
功能描述 | IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP |
封装外壳 | 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |
制造商 | Micron Micron Technology |
中文名称 | 美光 美光科技有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-24 11:16:00 |
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技术参数
- 制造商编号
:NAND04GW3B2DN6E
- 生产厂家
:Micron
- 存储器格式
:闪存
- 技术
:FLASH - NAND
- 存储容量
:4Gb (512M x 8)
- 写周期时间 - 字,页
:25ns
- 访问时间
:25ns
- 存储器接口
:并联
- 电压 - 电源
:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度
:-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型
:表面贴装
- 封装/外壳
:48-TFSOP(0.724\,18.40mm 宽)
- 供应商器件封装
:48-TSOP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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24+ |
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