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NAND04GW3B2DN6E中文资料IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP数据手册Micron规格书

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厂商型号

NAND04GW3B2DN6E

参数属性

NAND04GW3B2DN6E 封装/外壳为48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP

功能描述

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

封装外壳

48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)

制造商

Micron Micron Technology

中文名称

美光 美光科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 11:16:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :NAND04GW3B2DN6E

  • 生产厂家

    :Micron

  • 存储器格式

    :闪存

  • 技术

    :FLASH - NAND

  • 存储容量

    :4Gb (512M x 8)

  • 写周期时间 - 字,页

    :25ns

  • 访问时间

    :25ns

  • 存储器接口

    :并联

  • 电压 - 电源

    :2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度

    :-40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :48-TFSOP(0.724\,18.40mm 宽)

  • 供应商器件封装

    :48-TSOP

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