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NAND01GW3B2AZA6E中文资料IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
NAND01GW3B2AZA6E |
| 参数属性 | NAND01GW3B2AZA6E 封装/外壳为63-TFBGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA |
| 功能描述 | IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA |
| 封装外壳 | 63-TFBGA |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-25 17:32:00 |
| 人工找货 | NAND01GW3B2AZA6E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NAND01GW3B2AZA6E规格书详情
简介
NAND01GW3B2AZA6E属于集成电路（IC）的存储器。由ST制造生产的NAND01GW3B2AZA6E存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
技术参数
更多- 制造商编号
：NAND01GW3B2AZA6E
- 生产厂家
：ST
- 存储器格式
：闪存
- 技术
：FLASH - NAND
- 存储容量
：1Gb （128M x 8）
- 写周期时间 - 字，页
：30ns
- 访问时间
：30ns
- 存储器接口
：并联
- 电压 - 电源
：2.7 V ~ 3.6 V
- 工作温度
：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型
：表面贴装
- 封装/外壳
：63-TFBGA
- 供应商器件封装
：63-VFBGA（9x11）
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2450+ |
BGA |
6540 |
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
FBGA |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 | ||
ST |
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
48-TFSOP(0.724 |
5280 |
询价 | |||
ST(MICRON镁光) |
06+ |
BGA |
15 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST(MICRON镁光) |
25+ |
BGA |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
18+ |
ICFLASH1GBIT63VFBGA |
6580 |
公司原装现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3304 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ST |
22+ |
63VFBGA (9x11) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST |
22+ |
FBGA |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 |
