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NAND01GW3B2AZA6E数据手册集成电路（IC）的存储器规格书PDF
| 厂商型号 |
NAND01GW3B2AZA6E |
| 参数属性 | NAND01GW3B2AZA6E 封装/外壳为63-TFBGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA |
| 功能描述 | IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA |
| 封装外壳 | 63-TFBGA |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 8:08:00 |
| 人工找货 | NAND01GW3B2AZA6E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NAND01GW3B2AZA6E规格书详情
简介
NAND01GW3B2AZA6E属于集成电路（IC）的存储器。由制造生产的NAND01GW3B2AZA6E存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
技术参数
更多- 制造商编号
：NAND01GW3B2AZA6E
- 生产厂家
：ST
- 存储器格式
：闪存
- 技术
：FLASH - NAND
- 存储容量
：1Gb （128M x 8）
- 写周期时间 - 字，页
：30ns
- 访问时间
：30ns
- 存储器接口
：并联
- 电压 - 电源
：2.7 V ~ 3.6 V
- 工作温度
：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型
：表面贴装
- 封装/外壳
：63-TFBGA
- 供应商器件封装
：63-VFBGA（9x11）
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
BGA |
4520 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
48-TFSOP(0.724 |
5280 |
询价 | |||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3304 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ST(MICR |
24+ |
BGA |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
ST |
24+ |
FBGA |
23000 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
23+/24+ |
63-TFBGA |
8600 |
只供原装进口公司现货+可订货 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
18+ |
ICFLASH1GBIT63VFBGA |
6580 |
公司原装现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
原装现货只有原装.假一罚十 |
询价 | ||
Micron |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST(MICRON镁光) |
06+ |
BGA |
15 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
