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NAND01GW3B2AZA6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：63-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NAND01GW3B2AZA6	文件：631.49 Kbytes Page：64 Pages	1Gbit,2Gbit,2112Byte/1056WordPage,1.8V/3V,NANDFlashMemory	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
NAND01GW3B2AZA6E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存 - NAND
存储容量：
1Gb（128M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
30ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
63-TFBGA
供应商器件封装：
63-VFBGA（9x11）
描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

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