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NAND01GW3B2AZA6集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NAND01GW3B2AZA6 |
| 参数属性 | NAND01GW3B2AZA6 封装/外壳为63-TFBGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA |
| 功能描述 | 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| 封装外壳 | 63-TFBGA |
| 文件大小 |
631.49 Kbytes |
| 页面数量 |
64 页 |
| 生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名称 | 意法半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-9 17:08:00 |
| 人工找货 | NAND01GW3B2AZA6价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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NAND01GW3B2AZA6属于集成电路（IC）的存储器。由意法半导体集团制造生产的NAND01GW3B2AZA6存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
更多- 产品编号：
NAND01GW3B2AZA6E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
闪存
- 技术：
闪存 - NAND
- 存储容量：
1Gb（128M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
30ns
- 电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
63-TFBGA
- 供应商器件封装：
63-VFBGA（9x11）
- 描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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