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NAND01GW3B2AZA6集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号 |
NAND01GW3B2AZA6 |
参数属性 | NAND01GW3B2AZA6 封装/外壳为63-TFBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA |
功能描述 | 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
封装外壳 | 63-TFBGA |
文件大小 |
631.49 Kbytes |
页面数量 |
64 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体集团官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-25 9:31:00 |
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NAND01GW3B2AZA6属于集成电路(IC)的存储器。由意法半导体集团制造生产的NAND01GW3B2AZA6存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
更多- 产品编号:
NAND01GW3B2AZA6E
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
闪存 - NAND
- 存储容量:
1Gb(128M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
30ns
- 电压 - 供电:
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
63-TFBGA
- 供应商器件封装:
63-VFBGA(9x11)
- 描述:
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
22+ |
63VFBGA (9x11) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
原装现货只有原装.假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
FBGA |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 | ||
ST |
25+ |
BGA |
6500 |
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ST(MICR |
24+ |
BGA |
80000 |
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ST |
23+ |
BGA |
8650 |
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ST |
23+ |
BGA |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST |
23+ |
VFBGA-6 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
23+/24+ |
63-TFBGA |
8600 |
只供原装进口公司现货+可订货 |
询价 | ||
ST |
22+ |
BGA |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 |