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NAND01GW3B2AZA6集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

NAND01GW3B2AZA6
厂商型号

NAND01GW3B2AZA6

参数属性

NAND01GW3B2AZA6 封装/外壳为63-TFBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

功能描述

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

封装外壳

63-TFBGA

文件大小

631.49 Kbytes

页面数量

64

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-25 9:31:00

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NAND01GW3B2AZA6规格书详情

NAND01GW3B2AZA6属于集成电路(IC)的存储器。由意法半导体集团制造生产的NAND01GW3B2AZA6存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NAND01GW3B2AZA6E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    闪存 - NAND

  • 存储容量:

    1Gb(128M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    30ns

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    63-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    63-VFBGA(9x11)

  • 描述:

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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