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NAND01GW3B2AZA6	文件：631.49 Kbytes Page：64 Pages	1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory 文件：631.49 Kbytes 页数：64 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND01GW3B2AZA6E	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA	ST 意法半导体	ST
NAND01GW3B2AZA6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：63-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND01GW3B2BN6E	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST TSOP48	ST 上传：深圳市华来深电子有限公司	ST
NAND256W3A2BN6E	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST TSOP	ST 上传：深圳市振宏微科技有限公司	ST

技术参数

存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NAND
存储容量：
1Gb （128M x 8）
写周期时间 - 字，页：
30ns
访问时间：
30ns
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
2.7 V ~ 3.6 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
63-TFBGA
供应商器件封装：
63-VFBGA（9x11）

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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