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NAND01GR3B2C中文资料1-Gbit, 2112-byte/1056-word page,1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory数据手册Micron规格书
| 厂商型号 |
NAND01GR3B2C |
| 参数属性 | NAND01GR3B2C 封装/外壳为63-TFBGA；包装为管件；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA |
| 功能描述 | 1-Gbit, 2112-byte/1056-word page,1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory |
| 封装外壳 | 63-TFBGA |
| 制造商 | Micron Micron Technology |
| 中文名称 | 美光 美光科技有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 14:50:00 |
| 人工找货 | NAND01GR3B2C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
技术参数
- 产品编号：
NAND01GR3B2CZA6E
- 制造商：
Micron Technology Inc.
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
管件
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
闪存
- 技术：
闪存 - NAND
- 存储容量：
1Gb（128M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
25ns
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
63-TFBGA
- 供应商器件封装：
63-VFBGA（9.5x12）
- 描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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