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NAND512R3A2CN6E

512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

NAND512R3A2CN6F

512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

NAND512R3A2CZA6E

512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

NAND512R3A2CZA6F

512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

NAND512R3A2DZA6E

IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA;

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

NAND512R3A2SN6F

512-Mbit, 528-byte/264-word page, 1.8 V/3 V, SLC NAND flash memories

NUMONYX

numonyx

NAND512R3A2SZA6E

SLC NAND;

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

NAND512R3A2SZA6F

SLC NAND;

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

NAND512R3A2BZA6E

Package:63-VFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

NAND512R3A2CZA6E

Package:63-TFBGA;包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

技术参数

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NAND

  • 存储容量:

    512Mb (64M x 8)

  • 写周期时间 - 字,页:

    60ns

  • 访问时间:

    60ns

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 电源:

    1.7 V ~ 1.95 V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    63-VFBGA

  • 供应商器件封装:

    63-VFBGA(8.5x15)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
STMICRO
24+
1257
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NUMONY
16+
NA
8800
原装现货,货真价优
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BGA
6200
100%原装正品现货
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BGA63
108
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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BGA
5000
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24+
SMD
5500
长期供应原装现货实单可谈
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STMicroelectronics
18+
ICFLASH512MBIT63VFBGA
6580
公司原装现货
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更多NAND512R3A供应商 更新时间2025-7-27 15:30:00