NAND512R3A2BZA6E_集成电路（IC）存储器-意法半导体

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1+	¥面议

厂家型号：
NAND512R3A2BZA6E
制造商：
STMICROELECTRONICS/意法半导体
库存数量：
0
类别：
集成电路（IC）存储器
封装外壳：
63-VFBGA
包装：
托盘
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-7-23 15:14:00

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原厂料号：NAND512R3A2BZA6E品牌：STMicroelectronics

资料说明：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

NAND512R3A2BZA6E是集成电路（IC） > 存储器。制造商STMICROELECTRONICS/意法半导体生产封装63-VFBGA的NAND512R3A2BZA6E存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

芯片型号：
nand512r3a2bza6e
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情
厂商全称：
STMicroelectronics
中文名称：
意法半导体集团
资料说明：
IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

产品属性

类型
描述
产品编号：
NAND512R3A2BZA6E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存 - NAND
存储容量：
512Mb（64M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
60ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
63-VFBGA
供应商器件封装：
63-VFBGA（8.5x15）
描述：
IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

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NAND512R3A2BZA6E_集成电路（IC） 存储器-意法半导体

NAND512R3A2BZA6E

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