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NAND512R3A2CZA6E集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NAND512R3A2CZA6E |
| 参数属性 | NAND512R3A2CZA6E 封装/外壳为63-TFBGA；包装为管件；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA |
| 功能描述 | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| 封装外壳 | 63-TFBGA |
| 文件大小 |
674.58 Kbytes |
| 页面数量 |
51 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-19 17:29:00 |
| 人工找货 | NAND512R3A2CZA6E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
NAND512R3A2CZA6E
- 制造商：
Micron Technology Inc.
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
管件
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
闪存
- 技术：
闪存 - NAND
- 存储容量：
512Mb（64M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
50ns
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
63-TFBGA
- 供应商器件封装：
63-VFBGA（9x11）
- 描述：
IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Micron Technology Inc. |
21+ |
144-TFBGA |
5280 |
进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
询价 | ||
ST |
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
询价 | ||
ST |
2018+ |
BGA |
6528 |
承若只做进口原装正品假一赔十! |
询价 | ||
NUMONYX |
22+ |
BGA |
16800 |
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询价 | ||
Micron Technology Inc |
23+/24+ |
63-TFBGA |
8600 |
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询价 | ||
MICRON/美光 |
23+ |
BGA |
3000 |
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STM |
24+ |
BGA |
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ST/意法 |
21+ |
BGA |
116 |
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询价 | ||
Numonyx/STMi |
23+ |
63-VFBGA |
65480 |
询价 | |||
STM |
22+ |
BGA |
22108 |
原装正品现货 |
询价 |
