NAND01GR3B2B中文资料下载市场行情-114ic电子网

首页 >NAND01GR3B2B>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
NAND01GR3B2B	文件：711.53 Kbytes Page：62 Pages	1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NAND01GR3B2BN5E	文件：1.6385 Mbytes Page：67 Pages	1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory Features ■NANDinterface –x8orx16buswidth –Multiplexedaddress/data –Pinoutcompatibilityforalldensities ■Supplyvoltage:1.8V/3V ■Pagesize –x8device:(2048+64spare)bytes –x16device:(1024+32spare)words ■Blocksize –x8device:(128K+4Kspare)bytes –x16	NUMONYX numonyx	NUMONYX
NAND01GR3B2BN5F	文件：1.6385 Mbytes Page：67 Pages	1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory Features ■NANDinterface –x8orx16buswidth –Multiplexedaddress/data –Pinoutcompatibilityforalldensities ■Supplyvoltage:1.8V/3V ■Pagesize –x8device:(2048+64spare)bytes –x16device:(1024+32spare)words ■Blocksize –x8device:(128K+4Kspare)bytes –x16	NUMONYX numonyx	NUMONYX
NAND01GR3B2BN6E	文件：1.6385 Mbytes Page：67 Pages	1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory Features ■NANDinterface –x8orx16buswidth –Multiplexedaddress/data –Pinoutcompatibilityforalldensities ■Supplyvoltage:1.8V/3V ■Pagesize –x8device:(2048+64spare)bytes –x16device:(1024+32spare)words ■Blocksize –x8device:(128K+4Kspare)bytes –x16	NUMONYX numonyx	NUMONYX
NAND01GR3B2BN6F	文件：1.6385 Mbytes Page：67 Pages	1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory Features ■NANDinterface –x8orx16buswidth –Multiplexedaddress/data –Pinoutcompatibilityforalldensities ■Supplyvoltage:1.8V/3V ■Pagesize –x8device:(2048+64spare)bytes –x16device:(1024+32spare)words ■Blocksize –x8device:(128K+4Kspare)bytes –x16	NUMONYX numonyx	NUMONYX
NAND01GR3B2BZA5E	文件：1.6385 Mbytes Page：67 Pages	1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory Features ■NANDinterface –x8orx16buswidth –Multiplexedaddress/data –Pinoutcompatibilityforalldensities ■Supplyvoltage:1.8V/3V ■Pagesize –x8device:(2048+64spare)bytes –x16device:(1024+32spare)words ■Blocksize –x8device:(128K+4Kspare)bytes –x16	NUMONYX numonyx	NUMONYX
NAND01GR3B2BZA5F	文件：1.6385 Mbytes Page：67 Pages	1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory Features ■NANDinterface –x8orx16buswidth –Multiplexedaddress/data –Pinoutcompatibilityforalldensities ■Supplyvoltage:1.8V/3V ■Pagesize –x8device:(2048+64spare)bytes –x16device:(1024+32spare)words ■Blocksize –x8device:(128K+4Kspare)bytes –x16	NUMONYX numonyx	NUMONYX
NAND01GR3B2BZA6E	文件：1.6385 Mbytes Page：67 Pages	1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory Features ■NANDinterface –x8orx16buswidth –Multiplexedaddress/data –Pinoutcompatibilityforalldensities ■Supplyvoltage:1.8V/3V ■Pagesize –x8device:(2048+64spare)bytes –x16device:(1024+32spare)words ■Blocksize –x8device:(128K+4Kspare)bytes –x16	NUMONYX numonyx	NUMONYX
NAND01GR3B2BZA6F	文件：1.6385 Mbytes Page：67 Pages	1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory Features ■NANDinterface –x8orx16buswidth –Multiplexedaddress/data –Pinoutcompatibilityforalldensities ■Supplyvoltage:1.8V/3V ■Pagesize –x8device:(2048+64spare)bytes –x16device:(1024+32spare)words ■Blocksize –x8device:(128K+4Kspare)bytes –x16	NUMONYX numonyx	NUMONYX
NAND01GR3B2BZF5E	文件：1.6385 Mbytes Page：67 Pages	1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory Features ■NANDinterface –x8orx16buswidth –Multiplexedaddress/data –Pinoutcompatibilityforalldensities ■Supplyvoltage:1.8V/3V ■Pagesize –x8device:(2048+64spare)bytes –x16device:(1024+32spare)words ■Blocksize –x8device:(128K+4Kspare)bytes –x16	NUMONYX numonyx	NUMONYX

技术参数

存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NAND
存储容量：
1Gb （128M x 8）
写周期时间 - 字，页：
30ns
访问时间：
30ns
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
1.7V ~ 1.95V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
63-TFBGA
供应商器件封装：
63-VFBGA（9x11）

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市卓越微芯电子有限公司	NAND01GR3B2BZA6E	ST	2020+	BGA63	8	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	NAND01GR3B2BZA6E	ST	23+	BGA	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市华来深电子有限公司	NAND01GR3B2BZA6E	ST	23+	BGA63	8560	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
深圳诚思涵科技有限公司	NAND01GR3B2BZA6E	NUMONYX	18+	BGA	85600	保证进口原装可开17%增值税发票	询价
深圳市近平电子有限公司	NAND01GR3B2BZA6E	STM	6000	面议	19	DIP/SMD	询价
深圳市华睿芯科技有限公司	NAND01GR3B2BZA6	ST	24+	BGA	20000	全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	NAND01GR3B2BZA6E	Numonyx/STMi	23+	63-VFBGA	65480		询价
深圳市欧亚佳电子有限公司	NAND01GR3B2B-ZA6	ST	20+	BGA	11520	特价全新原装公司现货	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	NAND01GR3B2BZA6E	Micron Technology Inc.	21+	6-XBGA,FCBGA	5280	进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	NAND01GR3B2BZA6E	Micron Technology Inc.	24+	63-VFBGA(9x11)	56200	一级代理/放心采购	询价

更多NAND01GR3B2B供应商更新时间2025-7-27 13:58:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号