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NAND01GR3B2BZF5F	文件：1.6385 Mbytes Page：67 Pages	1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory Features ■ NAND interface – x8 or x16 bus width – Multiplexed address/ data – Pinout compatibility for all densities ■ Supply voltage: 1.8 V/3 V ■ Page size – x8 device: (2048 + 64 spare) bytes – x16 device: (1024 + 32 spare) words ■ Block size – x8 device: (128K + 4K spare) bytes – x16 文件：1.6385 Mbytes 页数：67 Pages	NUMONYX	NUMONYX
NAND01GR3B2BZF6E	文件：1.6385 Mbytes Page：67 Pages	1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory Features ■ NAND interface – x8 or x16 bus width – Multiplexed address/ data – Pinout compatibility for all densities ■ Supply voltage: 1.8 V/3 V ■ Page size – x8 device: (2048 + 64 spare) bytes – x16 device: (1024 + 32 spare) words ■ Block size – x8 device: (128K + 4K spare) bytes – x16 文件：1.6385 Mbytes 页数：67 Pages	NUMONYX	NUMONYX
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NAND01GR3B2BN1	文件：631.49 Kbytes Page：64 Pages	1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory 文件：631.49 Kbytes 页数：64 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND01GR3B2BN1E	文件：1.34162 Mbytes Page：60 Pages	1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory 文件：1.34162 Mbytes 页数：60 Pages	NUMONYX	NUMONYX
NAND01GR3B2BN1E	文件：711.53 Kbytes Page：62 Pages	1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory 文件：711.53 Kbytes 页数：62 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND01GR3B2BN1F	文件：711.53 Kbytes Page：62 Pages	1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory 文件：711.53 Kbytes 页数：62 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND01GR3B2BN1F	文件：1.34162 Mbytes Page：60 Pages	1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory 文件：1.34162 Mbytes 页数：60 Pages	NUMONYX	NUMONYX
NAND01GR3B2BN6	文件：631.49 Kbytes Page：64 Pages	1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory 文件：631.49 Kbytes 页数：64 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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技术参数

存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NAND
存储容量：
1Gb （128M x 8）
写周期时间 - 字，页：
30ns
访问时间：
30ns
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
1.7V ~ 1.95V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
63-TFBGA
供应商器件封装：
63-VFBGA（9x11）

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	NAND01GR3B2BZA6E	ST	25+	标准封装	18000	原厂直接发货进口原装	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	NAND01GR3B2BZA6E	ST	25+	BGA63	8	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	NAND01GR3B2BZA6E	ST	23+	BGA	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市华来深电子有限公司	NAND01GR3B2BZA6E	ST	23+	BGA63	8560	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
深圳诚思涵科技有限公司	NAND01GR3B2BZA6E	NUMONYX	18+	BGA	85600	保证进口原装可开17%增值税发票	询价
深圳市近平电子有限公司	NAND01GR3B2BZA6E	STM	6000	面议	19	DIP/SMD	询价
深圳市华睿芯科技有限公司	NAND01GR3B2BZA6	ST	24+	BGA	20000	全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	NAND01GR3B2BZA6E	Numonyx/STMi	23+	63-VFBGA	65480		询价
深圳市欧亚佳电子有限公司	NAND01GR3B2B-ZA6	ST	20+	BGA	11520	特价全新原装公司现货	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	NAND01GR3B2BZA6E	Micron Technology Inc.	21+	6-XBGA,FCBGA	5280	进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营	询价

更多NAND01GR3B2B供应商更新时间2025-10-6 16:17:00

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