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NAND01GR3B2B集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料

NAND01GR3B2B

厂商型号	NAND01GR3B2B
参数属性	NAND01GR3B2B 封装/外壳为63-TFBGA；包装为管件；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
功能描述	1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
封装外壳	63-TFBGA
文件大小	711.53 Kbytes
页面数量	62 页
生产厂商	STMicroelectronics
企业简称	STMICROELECTRONICS【意法半导体】
中文名称	意法半导体集团官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-2 18:03:00
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产品属性

产品编号：
NAND01GR3B2BZA6E
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存 - NAND
存储容量：
1Gb（128M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
30ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
63-TFBGA
供应商器件封装：
63-VFBGA（9x11）
描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

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