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NAND01GR3B2BZA6E 集成电路(IC)存储器 STMICROELECTRONICS/意法半导体
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
:NAND01GR3B2BZA6E
- 生产厂家
:美光
- 存储器格式
:闪存
- 技术
:FLASH - NAND
- 存储容量
:1Gb (128M x 8)
- 写周期时间 - 字,页
:30ns
- 访问时间
:30ns
- 存储器接口
:并联
- 电压 - 电源
:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度
:-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型
:表面贴装
- 封装/外壳
:63-TFBGA
- 供应商器件封装
:63-VFBGA(9x11)
供应商
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