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NAND01GR3B2BN6E

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

NAND01GR3B2BN6E

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

NUMONYX

numonyx

NAND01GR3B2BN6F

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

NAND01GR3B2BN6F

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

NUMONYX

numonyx

NAND01GR3B2BZA1

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

NAND01GR3B2BZA1E

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

NAND01GR3B2BZA1E

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

NUMONYX

numonyx

NAND01GR3B2BZA1F

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

NAND01GR3B2BZA1F

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

NUMONYX

numonyx

NAND01GR3B2BZA6

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

技术参数

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NAND

  • 存储容量:

    1Gb (128M x 8)

  • 写周期时间 - 字,页:

    30ns

  • 访问时间:

    30ns

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 电源:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    63-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    63-VFBGA(9x11)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST
19+
BGA
32000
原装正品,现货特价
询价
ST/意法
23+
BGA
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
ST
21+
BGA
10000
原装现货假一罚十
询价
ST/意法
23+
BGA
20000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
ST
22+
BGA
12245
现货,原厂原装假一罚十!
询价
ST/意法
24+
NA/
200
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
ST/意法
24+
BGA
60000
全新原装现货
询价
Micron
17+
BGA
6200
询价
Numonyx
BGA
320
正品原装--自家现货-实单可谈
询价
STM
2020+
VFBGA63
12600
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
询价
更多NAND01GR3B供应商 更新时间2022-6-12 10:12:00