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NAND01GR3B 集成电路(IC)存储器 ST/意法半导体
- 详细信息
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产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
NAND01GR3B2CZA6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 类别:
- 包装:
管件
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
闪存 - NAND
- 存储容量:
1Gb(128M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
25ns
- 电压 - 供电:
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
63-TFBGA
- 供应商器件封装:
63-VFBGA(9.5x12)
- 描述:
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
供应商
- 企业:
贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
陈先生/周小姐
- 手机:
18923718265
- 询价:
- 电话:
0755-82721010
- 传真:
0755-28225816
- 地址:
深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1016号宝华大厦A座、B座A座16层1611室/亚太地区XILINX、ALTERA、LATTICE、AD、TI、ST、infineon、NXP、Microchip一级代理商
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