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MUN5116T1	文件：132.74 Kbytes Page：12 Pages	Bias Resistor Transistor 文件：132.74 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5116T1G	文件：109.04 Kbytes Page：12 Pages	Bias Resistor Transistor 文件：109.04 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5116T1G	文件：177.75 Kbytes Page：11 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：177.75 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5116DW1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual PNP Bipolar Digital Transistor (BRT) This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT el • Simplifies Circuit Design\n• Reduces Board Space\n• Reduces Component Count\n• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable\n• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Complian;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5116DW1T1	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5116T1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5116T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MUN5116
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
β>160
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.4

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
IC Continuous (A)：
0.1
V(BR)CEO Min (V)：
50
hFE Min：
160
R1 (kΩ)：
4.7
R2 (kΩ)：
Infinity
Vi(off) Max (V)：
0.5
Vi(on) Min (V)：
1.3
Package Type：
SC-70-3/SOT-323-3

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