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MUN5116T1	文件：205.59 Kbytes Page：11 Pages	Bias Resistor Transistor BiasResistorTransistor PNPSiliconSurfaceMountTransistorwithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolit	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MUN5116T1	文件：238.88 Kbytes Page：10 Pages	PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR BiasResistorTransistors PNPSiliconSurfaceMountTransistorwithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonoli	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MUN5116T1	文件：238.88 Kbytes Page：10 Pages	PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN5116T1	文件：132.74 Kbytes Page：12 Pages	Bias Resistor Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN5116T1	文件：109.04 Kbytes Page：12 Pages	Bias Resistor Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN5116T1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SC-70，SOT-323 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN5116T1G	文件：109.04 Kbytes Page：12 Pages	Bias Resistor Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN5116T1G	文件：177.75 Kbytes Page：11 Pages	Digital Transistors (BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN5116T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SC-70，SOT-323 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
G5116T1U	文件：428.68 Kbytes Page：9 Pages	HighEfficiency,ConstantCurrentOutputfor8SeriesLEDsDriver	GMTGlobal Mixed-mode Technology 致新科技	GMT
LMUN5116T1G	文件：174.43 Kbytes Page：12 Pages	BiasResistorTransistor	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC

产品属性

产品编号：
MUN5116T1
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
160 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70-3（SOT323）
描述：
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MUN5116T1供应商更新时间2024-5-21 16:00:00

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