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MUN5116T1G	文件：109.04 Kbytes Page：12 Pages	Bias Resistor Transistor 文件：109.04 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5116T1G	文件：177.75 Kbytes Page：11 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：177.75 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5116T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
G5116T1U	文件：428.68 Kbytes Page：9 Pages	High Efficiency, Constant Current Output for 8 Series LEDs Driver 文件：428.68 Kbytes 页数：9 Pages	GMT 致新科技	GMT
LMUN5116T1G	文件：174.43 Kbytes Page：12 Pages	Bias Resistor Transistor 文件：174.43 Kbytes 页数：12 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MUN5116T1	文件：132.74 Kbytes Page：12 Pages	Bias Resistor Transistor 文件：132.74 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MUN5116T1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
160 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70-3（SOT323）
描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3

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更多MUN5116T1G供应商更新时间2026-1-23 23:00:00

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