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MUN5116T1G	文件：109.04 Kbytes Page：12 Pages	Bias Resistor Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN5116T1G	文件：177.75 Kbytes Page：11 Pages	Digital Transistors (BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN5116T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
G5116T1U	文件：428.68 Kbytes Page：9 Pages	HighEfficiency,ConstantCurrentOutputfor8SeriesLEDsDriver	GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc 致新科技	GMT
LMUN5116T1G	文件：174.43 Kbytes Page：12 Pages	BiasResistorTransistor	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MUN5116T1	文件：109.04 Kbytes Page：12 Pages	BiasResistorTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN5116T1	文件：132.74 Kbytes Page：12 Pages	BiasResistorTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN5116T1	文件：205.59 Kbytes Page：11 Pages	BiasResistorTransistor BiasResistorTransistor PNPSiliconSurfaceMountTransistorwithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolit	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MUN5116T1	文件：238.88 Kbytes Page：10 Pages	PNPSILICONBIASRESISTORTRANSISTOR	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
MUN5116T1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
160 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70-3（SOT323）
描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MUN5116T1G供应商更新时间2025-7-23 17:23:00

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