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MUN5116DW1T1数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

MUN5116DW1T1

功能描述

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 8:18:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MUN5116DW1T1

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)

    :100mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    :50V

  • 电阻器 - 基底(R1)

    :4.7 千欧

  • 电阻器 - 发射极基底(R2)

    :-

  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)

    :160 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)

    :250mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值)

    :500nA

  • 频率 - 跃迁

    :-

  • 功率 - 最大值

    :250mW

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装

    :SC-88/SC70-6/SOT-363

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
2021/2022+
标准封装
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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