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MUN5113DW1T1G中文资料三极管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MUN5113DW1T1G

参数属性

MUN5113DW1T1G 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置;产品描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

功能描述

三极管
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 20:00:00

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MUN5113DW1T1G规格书详情

简介

MUN5113DW1T1G属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置。由制造生产的MUN5113DW1T1G晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置预偏置的双极晶体管阵列包含两个或更多双极晶体管,同时电阻以可能有用的方式连接到每个晶体管;通常在每个晶体管的发射极和基极端子之间有一个电阻,同时有另一个电阻连接到每个晶体管的基极端子和器件封装上的用户可访问引脚。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MUN5113DW1T1G

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • 集电极电流Ic

    :100mA

  • Vce的电压值

    :50V

  • 类型

    :2 个 PNP 预偏压式(双)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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