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MUN2214T3	文件：166.36 Kbytes Page：18 Pages	Bias Resistor Transistors 文件：166.36 Kbytes 页数：18 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2214T3G	文件：150.54 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 47 k 文件：150.54 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2214T3G	文件：150.29 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 47 k 文件：150.29 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2214T3G	文件：141.22 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：141.22 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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MUN2214T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
MUN2214T3
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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