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MUN5112T1G

Digital Transistors (BRT) R1 = 22 kOhm, R2 = 22 kOhm

PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a

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ONSEMI

安森美半导体

MUN5112T1G

Bias Resistor Transistor

文件:132.74 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MUN5112T1G

Bias Resistor Transistor

文件:109.04 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MUN5112T1G

Bias Resistor Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

MUN5112T1G

Digital Transistors (BRT)

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ONSEMI

安森美半导体

MUN5112T1G

Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 22 k

文件:146.04 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MUN5112T1GS

Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 22 k

文件:146.04 Kbytes 页数:12 Pages

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安森美半导体

MUN5112T1G

Package:SC-70,SOT-323;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3

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产品属性

  • 产品编号:

    MUN5112T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 300µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SC-70-3(SOT323)

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOT323
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SOT323
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更多MUN5112T1G供应商 更新时间2026-1-29 14:31:00