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MUN5312DW1T1G

Dual Bias Resistor Transistors

文件:373.98 Kbytes 页数:35 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MUN5312DW1T1G

Dual Bias Resistor Transistors

文件:830.77 Kbytes 页数:34 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MUN5312DW1T1G

Complementary Bias Resistor Transistors

文件:105.87 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MUN5312DW1T1G

Complementary Bias Resistor Transistors R1 = 22 k, R2 = 22 k

文件:168.49 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MUN5312DW1T1G

Dual Bias Resistor Transistors

文件:270.41 Kbytes 页数:34 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MUN5312DW1T1G

双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V NPN & PNP

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    MUN5312DW1T1G

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA Complementary 50V NPN & PNP

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ONSEMI/安森美
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SOT363
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更多MUN5312DW1T1G供应商 更新时间2026-6-2 9:06:00