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MUN5313DW1T1G	文件：373.98 Kbytes Page：35 Pages	Dual Bias Resistor Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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LMUN5313DW1T1	文件：424.43 Kbytes Page：29 Pages	DualBiasResistorTransistorsNPNandPNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
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MUN5313DW1T1	文件：661.99 Kbytes Page：13 Pages	DualBiasResistorTransistors	ETL E-Tech Electronics LTD
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MUN5313DW1T1	文件：367.77 Kbytes Page：13 Pages	DualBiasResistorTransistors DualBiasResistorTransistors NPNandPNPSiliconSurfaceMount TransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkconsistingoftworesistors;aseriesbaseresistorandabase–emitterresistor.Thes	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
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详细参数

型号：
MUN5313DW1T1G
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR DUAL 50V
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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