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MUN2236	文件：388.59 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Bias Resistor Transistor NPN Silicon Bias Resistor Transistor 文件：388.59 Kbytes 页数：10 Pages	WEITRON	WEITRON
MUN2236	文件：1.54351 Mbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Bias Resistor Transistor 文件：1.54351 Mbytes 页数：10 Pages	WEITRON	WEITRON
MUN2236	文件：136.5 Kbytes Page：10 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 100 k, R2 = 100 k 文件：136.5 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2236	文件：121.78 Kbytes Page：9 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 100 k, R2 = 100 k 文件：121.78 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2236	文件：125.42 Kbytes Page：10 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：125.42 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2236	文件：136.29 Kbytes Page：10 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：136.29 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2236	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT el • Simplifies Circuit Design\n• Reduces Board Space\n• Reduces Component Count\n• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable\n• These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2236T1	文件：160.53 Kbytes Page：11 Pages	Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network cons 文件：160.53 Kbytes 页数：11 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MUN2236_13	文件：136.5 Kbytes Page：10 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 100 k, R2 = 100 k 文件：136.5 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2236_16	文件：125.42 Kbytes Page：10 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：125.42 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
IC Continuous (A)：
0.1
V(BR)CEO Min (V)：
50
hFE Min：
80
R1 (kΩ)：
100
R2 (kΩ)：
100
R1/R2 Typ：
1
Vi(off) Max (V)：
0.5
Vi(on) Min (V)：
3
Package Type：
SC-59-3

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