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MUN2233T1G	文件：149.14 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 47 k DigitalTransistors(BRT)R1=4.7k,R2=47k NPNTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBiasResistorTransistor(BRT)containsasingletransistorwithamono	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN2233T1G	文件：110.08 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 47 k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN2233T1G	文件：150.44 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN2233T1G	文件：140.42 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN2233T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVMUN2233T1G	文件：149.14 Kbytes Page：12 Pages	DigitalTransistors(BRT)R1=4.7k,R2=47k DigitalTransistors(BRT)R1=4.7k,R2=47k NPNTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBiasResistorTransistor(BRT)containsasingletransistorwithamono	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NSVMUN2233T1G	文件：110.08 Kbytes Page：12 Pages	DigitalTransistors(BRT)R1=4.7k,R2=47k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MUN2233T1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SC-59
描述：
TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MUN2233T1G	onsemi(安森美)	24+	SC-59	3022	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
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更多MUN2233T1G供应商更新时间2025-7-24 15:05:00

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