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MUN5111T1	文件：205.59 Kbytes Page：11 Pages	Bias Resistor Transistor Bias Resistor Transistor PNP Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolit 文件：205.59 Kbytes 页数：11 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MUN5111T1	文件：238.88 Kbytes Page：10 Pages	PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR Bias Resistor Transistors PNP Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monoli 文件：238.88 Kbytes 页数：10 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MUN5111T1	文件：238.88 Kbytes Page：10 Pages	PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR 文件：238.88 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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MUN5111T1	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR	恩XP 恩智浦	恩XP
MUN5111T1_10	文件：147.32 Kbytes Page：13 Pages	Bias Resistor Transistors 文件：147.32 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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详细参数

型号：
MUN5111T1
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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