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MUN2215T1G	文件：150.44 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR 文件：150.44 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2215T1G	文件：166.36 Kbytes Page：18 Pages	Bias Resistor Transistors 文件：166.36 Kbytes 页数：18 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2215T1G	文件：149.18 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = k 文件：149.18 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2215T1G	文件：140.74 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = k 文件：140.74 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2215T1G	文件：140.6 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：140.6 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2215T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MUN2215T1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
160 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SC-59
描述：
TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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