功率 MOSFET，150V，20A，130mΩ，单 N 沟道，TO-220

此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。能效设计还提供了具有快速恢复时间的漏极-源极二极管。此类器件专用于电源转换器和 PWM 电机控制中的低电压、高速开关应用，尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬变电压提供附加安全裕度。 • Avalanche Energy Specified\n• Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode\n• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits\n• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature;

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 20 Amps, 150 Volts N-Channel TO-220

文件：41.45 Kbytes 页数：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Enhancement MOSFET

文件：672.09 Kbytes 页数：5 Pages

SECOS

喜可士

N-Channel 150 V (D-S) MOSFET

文件：901.27 Kbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Super high dense cell design for low RDS(ON).

文件：112.78 Kbytes 页数：8 Pages

SAMHOP

三合微科