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MTP3N50E	文件：251.87 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.0 OHMS TMOS E-FET™ High Energy Power FET N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on)= 3.0 OHMS This advanced high voltageTMOS E–FET is designed to with stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. Thisnew high energy device also offer 文件：251.87 Kbytes 页数：8 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MTP3N50E	文件：317.2 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：317.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MTP3N50E	文件：236.02 Kbytes Page：8 Pages	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate 文件：236.02 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MTP3N50E	文件：300 bytes Page：1 Pages	TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.0 OHMS	恩XP	恩XP
MTP3N50E	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJS 新泽西半导体	NJS
MTP3N50E	文件：300 bytes Page：1 Pages	N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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