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MTP20N15E数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

MTP20N15E

功能描述

功率 MOSFET,150V,20A,130mΩ,单 N 沟道,TO-220

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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MTP20N15E规格书详情

描述 Description

此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。能效设计还提供了具有快速恢复时间的漏极-源极二极管。此类器件专用于电源转换器和 PWM 电机控制中的低电压、高速开关应用,尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路,可针对非预期的瞬变电压提供附加安全裕度。

特性 Features

• Avalanche Energy Specified
• Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

技术参数

  • 型号:

    MTP20N15E

  • 功能描述:

    MOSFET 150V 20A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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