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MTP23P06V | TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.120 OHM TMOS V™ Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.18 OHM TMOSV is a new technologydesigned to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles th 文件:192.7 Kbytes 页数:8 Pages | MOTOROLA 摩托罗拉 | MOTOROLA | |
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P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件:955.83 Kbytes 页数:7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
MTP23P06V | 功率 MOSFET,23 A,60 V 此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。此类器件针对电源、转换器和电源电机控制中的低压、高速开关应用而设计,尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路,可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。 • Avalanche Energy Specified\n• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature\n• Pb-Free Package is Available; | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
MTP23P06V | TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.120 OHM | 恩XP | 恩XP |
详细参数
- 型号:
MTP23P06V
- 功能描述:
MOSFET 60V 23A P-Channel
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
17+ |
TO-2203LEADSTANDARD |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
TO-220-3 |
14606 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
onsemi |
25+ |
TO-220 |
22412 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
5000 |
公司存货 |
询价 | |||
ON |
17+ |
TO220 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
MOT |
06+ |
TO-220 |
3000 |
原装库存 |
询价 | ||
ON |
25+ |
TO-220 |
4500 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-220-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
MOT |
25+23+ |
TO-220 |
15437 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
专业铁帽 |
TO220 |
128 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
询价 |
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