首页 >MTP23P06V>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

MTP23P06V

TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.120 OHM

TMOS V™ Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.18 OHM TMOSV is a new technologydesigned to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles th

文件:192.7 Kbytes 页数:8 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

MTP23P06V

Power MOSFET 23 Amps, 60 Volts

文件:81.75 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MTP23P06V

Power MOSFET 23 Amps, 60 Volts

文件:74.38 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MTP23P06VG

Power MOSFET 23 Amps, 60 Volts

文件:74.38 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MTP23P06VG

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:955.83 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

MTP23P06V

功率 MOSFET,23 A,60 V

此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。此类器件针对电源、转换器和电源电机控制中的低压、高速开关应用而设计,尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路,可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。 • Avalanche Energy Specified\n• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature\n• Pb-Free Package is Available;

ONSEMI

安森美半导体

MTP23P06V

TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.120 OHM

恩XP

恩XP

详细参数

  • 型号:

    MTP23P06V

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 23A P-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
17+
TO-2203LEADSTANDARD
31518
原装正品 可含税交易
询价
ON(安森美)
23+
TO-220-3
14606
公司只做原装正品,假一赔十
询价
onsemi
25+
TO-220
22412
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
询价
24+
N/A
5000
公司存货
询价
ON
17+
TO220
6200
100%原装正品现货
询价
MOT
06+
TO-220
3000
原装库存
询价
ON
25+
TO-220
4500
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
询价
ON
23+
TO-220-3
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
询价
MOT
25+23+
TO-220
15437
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
ON/安森美
专业铁帽
TO220
128
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货
询价
更多MTP23P06V供应商 更新时间2026-4-17 14:00:00