MTP23P06V中文资料功率 MOSFET,23 A,60 V数据手册ONSEMI规格书
MTP23P06V规格书详情
描述 Description
此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。此类器件针对电源、转换器和电源电机控制中的低压、高速开关应用而设计,尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路,可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。
特性 Features
• Avalanche Energy Specified
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
• Pb-Free Package is Available
技术参数
- 型号:
MTP23P06V
- 功能描述:
MOSFET 60V 23A P-Channel
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
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