TMOS POWER FET 12 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.3 OHM

Power Field Effect Transistor P-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

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MOTOROLA

摩托罗拉

POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

Power Field Effect Transistor P-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

文件：169.93 Kbytes 页数：5 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= -12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.3Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件：279.74 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

Power Field Effect Transistor

文件：95.67 Kbytes 页数：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

Power Field Effect Transistor

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts P?묬hannel TO??20

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ONSEMI

安森美半导体

功率 MOSFET，12 A，100 V，P 沟道，TO-220

此功率 MOSFET 适用于中压、高速电源开关应用，如开关稳压器、转换器、电磁和继电器驱动器。 • Silicon Gate for Fast Switching SpeedsSwitching Times Specified at 100°C\n• Designer's DataIDSS, VDS(on), VGS(th) and SOA Specified at Elevated Temperature\n• RuggedSOA is Power Dissipation Limited\n• Source-to-Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads\n• Pb-Free Package is Available;

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts P?묬hannel TO??20

文件：78.41 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

P-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件：967.44 Kbytes 页数：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体